東京高等裁判所 平成５年（行ケ）１５号 判決
宮城県仙台市青葉区川内（番地なし）
原告
財団法人半導体研究振興会
同代表者理事
緒方研二
同訴訟代理人弁護士
吉澤敬夫
同弁理士
平山一幸
東京都千代田区霞が関３丁目４番３号
被告
特許庁長官 高島章
同指定代理人
山本一正
同
飛鳥井春雄
同
奥村寿一
同
関口博
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実
第１ 当事者の求めた裁判
１ 原告
「特許庁が平成２年審判第４９８４号事件について平成４年１２月４日にした審決を取り消す。訴訟費用は被告の負担とする。」との判決
２ 被告
主文と同旨の判決
第２ 請求の原因
１ 特許庁における手続の経緯
原告は、昭和５９年５月２８日、名称を「不均一不純物密度分布を有する半導体装置の製造方法」とする発明（以下「本願発明」という。）について特許出願（昭和５９年特許願第１０７７３０号）をしたが、平成２年２月７日拒絶査定を受けたので、同年３月３０日審判を請求した。
特許庁は、この請求を平成２年審判第４９８４号事件として審理した結果、平成４年１２月４日、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決をし、その謄本は平成５年２月１日原告に送達された。
２ 本願発明の要旨
ＧａＡｓ中に超階段接合を有する不純物密度分布を形成するために前記化合物半導体の主表面ないしはその一部にイオン注入法により不純物を前記化合物半導体領域に打込後に、前記化合物半導体をＡｓ元素の蒸気圧によって満たされた雰囲気中で加えるＡｓの圧力をおおよそ〈省略〉として熱処理をすることを特徴とする工程を含み超階段接合を形成する半導体装置の製造方法。
３ 審決の理由の要点
(1) 本願発明の要旨は前項記載のとおりである。
(2) これに対し、昭５８－１１２３２８号公報（昭和５８年７月４日出願公開、以下「引用例１」という。）には、特に図面とそれに関連する説明において、
「ＧａＡｓ中に所定の不純物密度分布を形成するために前記化合物半導体の主表面ないしはその一部にイオン注入法により不純物を前記化合物半導体領域に打込後に、前記化合物半導体をＡｓ元素の蒸気圧によって満たされた雰囲気中で加えるＡｓの圧力を所定の圧力として熱処理をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されている。
また、「半導体ハンドブック（第２版）」（昭和５２年１１月３０日柳井久義編 株式会社オーム社発行 第３８１頁ないし第３８５頁、（以下「引用例２」という。）には、特に図面とそれに関連する説明において、「ＧａＡｓバラクタ」、「超階段接合を有する不純物密度分布を形成したバリキャップダイオード」、「バリキャップダイオードにおいてイオン注入法を用いて不純物ドーピングを行っていること」が記載されている。
(3) そこで、本願発明と引用例１に記載されたものとを対比すると、両者は、「ＧａＡｓ中に所定の不純物密度分布を形成するために前記化合物半導体の主表面ないしはその一部にイオン注入法により不純物を前記化合物半導体領域に打込後に、前記化合物半導体をＡｓ元素の蒸気圧によって満たされた雰囲気中で加えるＡｓの圧力を所定の圧力として熱処理をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」の点で一致している。
しかしながら、本願発明は、〈１〉超階段接合を有する不純物密度分布を形成する（相違点〈１〉）、〈２〉Ａｓの圧力をおおよそ
〈省略〉として熱処理をする（相違点〈２〉）、という構成を有するのに対し、引用例１には、このような記載がない点で両者は一応相違している。
(4) よって、相違点について検討する。
〈１〉 相違点〈１〉について
引用例２には「ＧａＡｓバラクタ」、「超階段接合を有する不純物密度分布を形成したバリキャップダイオード」、「バリキャップダイオードにおいてイオン注入法を用い不純物ドーピングを行っていること」が記載されている。
そして、バラクタもバリキャップダイオードも半導体装置であるから、引用例１の半導体装置において、引用例２のＧａＡｓバラクタのようなＧａＡｓ中に、バリキャップダイオードのような超階段接合を有する不純物密度分布を形成することは、当業者であれば必要に応じてなし得ることである。
〈２〉 相違点〈２〉について
「Ａｓの圧力をおおよそ
〈省略〉として熱処理をすると完全結晶が得られる」ことは周知技術である〔Journal of Crystal Growth31(1975)215－222 J. Nishizawa, Y. Okuno and H. Tadano: NEARLY P ERFECT CRYSTAL GROWTH OF Ⅲ－Ⅴ COMPOUNDS BY THE T EMPERATURE DIFFERENCE METHOD UNDER CONTROLLED VAPO UR PRESSURE（以下「周知文献」という。）参照〕から、表面状態が良好な結果を得るため、引用例１のＡｓの圧力を、このような数式から得られる値で熱処理することは当業者であれば必要に応じてなし得ることである。
したがって、本願発明は、引用例１の「半導体装置の製造方法」において、上記引用例２の「超階段接合を有する不純物密度分布を形成し」、その際のＡｓの圧力として上記周知技術の数式を用いたものにすぎず、このようにすることは、当業者が格別の創意工夫を要することなく、容易に想到し得ることである。
(5) してみると、本願発明は、当業者が引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
４ 審決を取り消すべき事由
審決の理由の要点(1)は認める。同(2)のうち、引用例１にＧａＡｓ中に「所定の不純物密度分布を形成するために」との記載があることは否認し、その余は認める。同(3)の一致点の認定のうち、ＧａＡｓ中に「所定の不純物密度分布を形成するために」との部分は否認し、その余は認める。相違点の認定は認める。同(4)〈１〉のうち、引用例２に審決摘示の記載があることは認めるが、その余は争う。同(4)〈２〉のうち、周知文献に審決摘示の記載があることは認めるが、その余は争う。同(5)は争う。
審決は、引用例１の記載内容を誤認して一致点の認定を誤り、かつ、相違点〈１〉、〈２〉についての判断を誤ったものであるから、違法として取り消されるべきである。
(1) 一致点の認定の誤り（取消事由１）
〈１〉 引用例１には、ＧａＡｓ中に「所定の不純物密度分布を形成するため」の技術は開示されていないから、審決のした一致点の認定は誤りである。
不純物の密度分布とは、基板表面にただ不純物が存在するというだけの状態を指すものではなく、基板の厚さ方向に不純物の密度の分布が一定の割合で変化している状態を指すものであるから、「所定の不純物密度分布」が開示されているというためには、少なくともこのような基板の厚さ方向の変化の状態が開示されていなければならない。
しかし、引用例１に示されている技術は、ＧａＡｓ基板表面へのイオンの打込み量と、イオンを注入する際に一定のＡｓ蒸気圧を加えることだけであり、同引用例には、基板表面の不純物について所定の密度分布はおろか、基板の表面の不純物密度、及びその深さも、基板の厚さすらも記載されていない。引用例１の発明は、基板表面に一定量以上の不純物が存在しさえすればよい、ホール測定あるいは例えばＦＥＴなどの半導体装置を製造する技術に応用されるものであって、本願発明のような基板の厚さ方向に従って不純物の密度が変化する状態を得ようというものではないのである。
〈２〉 被告は、乙第１号証の記載を引用して、半導体装置の製造において、所定の不純物密度分布を形成することは、当業者が当然考慮している設計上の事項である旨主張するが、乙第１号証と同一の文献である甲第１８号証の１５８頁、１５９頁に、ＧａＡｓなどの化合物半導体におけるイオン注入技術はＳｉ（シリコン）における技術とは格段の差異があり、到底実用化の段階に至っていないことが明記されていることからも明らかなように、引用箇所の知見は、従来のＳｉダイオードについてのみ当てはまるものであり、当時の技術水準においては、本願発明におけるＧａＡｓのような化合物半導体については全く適用できないものであるから、上記主張は理由がないものというべきである。
(2) 相違点〈１〉の判断の誤り（取消事由２）
〈１〉 引用例２の３８５頁に記載されている「超階段接合バリキャップダイオード」は、本願発明の対象であるＧａＡｓダイオードに関するものではなく、従来のＳｉダイオードに関する記述にすぎない。このことは、同記述が記載されている欄の冒頭に、「半導体材料としては、不純物濃度分布の制御のしやすいＳｉが一般に用いられており」（甲第１４号証３８４頁右欄２行ないし４行）と記載されていることからも明らかである。本願出願当時の技術では、ＧａＡｓダイオードに超階段接合を得る技術そのものが全く確立されていなかったのである。
前記のとおり、引用例１にはＧａＡｓに関する技術の記載はあっても、超階段接合などの不純物密度分布を制御する技術思想は存在せず、その技術に関する一切の示唆もなく、また、引用例２には、Ｓｉについての超階段接合の技術の記載はあっても、当時困難視されていたＧａＡｓについての超階段接合を得る技術についての開示も示唆もないのであるから、引用例１の半導体装置において、引用例２のＧａＡｓバラクタのようなＧａＡｓ中に超階段接合を有する不純物密度分布を形成することが当業者に容易であったとの審決の判断は誤りである。
〈２〉 被告は、イオン注入技術は不純物密度分布を正確に制御できる技術として従来よりよく知られており、この特徴は、イオンが注入される半導体材料の種類によって変わるものではない旨主張する。
しかし、甲第１８号証中の「６．６．１ Ⅲ－Ⅴ化合物（ＧａＡｓ）への応用」の項の記載（１５８頁、１５９頁）によっても明らかなとおり、本願出願当時、ＧａＡｓ半導体におけるイオン注入技術には様々な困難性があり、そのころ確立されていた元素半導体であるＳｉ半導体における技術をそっくりそのまま適用できるようなものではなく、到底実用化の域に達していなかったのであるから、被告の上記主張は当業者の技術常識に反するものというべきであって失当である。
また被告は、ＧａＡｓなどの化合物半導体へのイオン注入がＳｉ半導体の場合と異なることをある程度認めつつ、なおＳｉ半導体における技術が化合物半導体に適用できる根拠として、ＧａＡｓなどの化合物半導体へのイオン注入の問題点を、熱処理の際に「化合物半導体表面が化学量論的組成からずれ、結晶欠陥が発生する」ことと決めつけ、この問題が解決されれば、ＧａＡｓなどのイオン注入技術の問題点がすべて解消されるように述べているが、これは技術常識に反する。結晶欠陥の問題は、化合物半導体へのイオン注入技術の問題点のひとつではあるが、結晶欠陥の問題さえ解決すれば化合物半導体へのイオン注入の問題点がすべて解決されるものではない。
更に被告は、引用例２にはＧａＡｓ中に超階段接合を形成する技術が記載されている旨主張しているが、もし、引用例２の超階段接合の記述がＧａＡｓダイオードに関するものであるならば、同引用例にすでに超階段接合などの「所定の不純物密度を形成する」技術が記載されているということになり、審決がわざわざ引用例１を持ち出す必要はなかったはずであるし、また、被告の主張は、相違点〈１〉の判断についての審決の論理と相違するものである。
(3) 相違点〈２〉の判断の誤り（取消事由３）
〈１〉 本願発明の前記数式は、ＧａＡｓ中に不純物をイオン注入で打ち込み、その不純物の密度分布を超階段接合とするために最適な蒸気圧制御の条件を規定したものである。このことは、本願明細書（甲第１６号証）の発明の詳細な説明中の「従来技術」の欄や「発明の目的」の欄を一読すれば当業者にとって自ずと分かることである。すなわち、「従来技術」の欄には、本願出願前の技術では、Ｓｉのバラクタダイオードにあっては合金拡散法やイオン注入法等により超階段接合を有するものが得られていたが、ＧａＡｓの化合物半導体については、「どのようなＡｓの圧力が超階段接合を形成するのに適しているか明らかではない。」（３頁９行、１０行）ことが明記されており、また、「発明の目的」の欄には、「ＧａＡｓ等の化合物半導体のバラクタダイオードで特に良好な超階段接合を有し、容量変化率の大きいダイオードを容易に再現性良く得られるようにしたもの」（同頁１２行ないし１５行）であることが記載され、本願発明は、現実に特許請求の範囲に記載の構成によりその目的を達成するものであるから、上記数式が超階段接合を得るための条件を規定したものであることは明らかである。また、本願明細書には、実験結果としての第３図に、前記数式の条件によって良好な超階段接合が得られたことが説明されている。
一方、周知文献に開示されている技術は、結晶の完全性を得ることを目的としたものであって、本願発明におけるように結晶に不純物を打ち込み、かつその不純物の密度分布を好ましい超階段接合とするかどうかを検討したものでは全くない。周知文献の数式は、ＧａＡｓなどの結晶そのものについて、ほぼ完全な結晶を得るための蒸気圧と結晶成長温度との関係式である。
上記のとおり、本願発明の数式はＧａＡｓに不純物をイオン注入で打ち込み、その不純物の密度分布を超階段接合とするために最適な蒸気圧制御の条件を規定したものであり、それに対して、周知文献の数式は、ＧａＡｓ等の結晶そのものについて、ほぼ完全な結晶を得るための蒸気圧と結晶成長温度との関係式を示すものであって、本願発明のものと意味が異なる。
したがって、相違点〈２〉につき、「表面状態が良好な結果を得るため、引用例１のＡｓの圧力を、このような数式から得られる値で熱処理することは当業者であれば必要に応じてなし得ることである」とした審決の判断は誤りである。
〈２〉 被告は、本願明細書に前記数式によって処理した結果について「表面状態が良好な結果が得られた」と記載してあることをとらえ、前記式が超階段接合とは無関係な式であると強弁するが、該記載は文字どおり表面状態が良好であった結果を述べているにすぎず、該記載から前記数式が超階段接合と無関係であるとするのは論理の飛躍も甚だしい。
第３ 請求の原因に対する認否及び反論
１ 請求の原因１ないし３は認める。同４は争う。審決の認定、判断は正当であって、原告主張の誤りはない。
２ 反論
(1) 取消事由１について
半導体装置の製造において、所定の不純物密度分布を形成することは、その半導体装置が所定の機能、性質を有するようにするために当業者が当然に考慮している設計上の事項である。このことは、乙第１号証中の「イオン注入法を半導体プロセスに適用したときの特長としては、１．不純物の数および深さ方向分布はイオンの加速電圧、電流、注入時間により正確に制御できる・・・・４．不純物プロファイルを正確に制御できるため、接合深さの制御精度がよく、また複雑な形の不純物プロファイルを比較的簡単に作ることができる。」（５頁１行ないし１２行）、「不純物の分布は半導体素子の設計上まず問題となる重要なものである。イオン注入した不純物の分布は第一に注入量、加速電圧および注入方向によって決まる。」（２９頁１行ないし３行）との記載からも明らかである。
そして、引用例１の発明は、半導体装置の製造方法において、イオン注入されたＧａＡｓ化合物半導体の表面が化学量論的組成からずれて結晶欠陥が発生する問題を解決するため、Ａｓ圧を加える発明であり（甲第４号証１頁右欄１６行ないし１８行、２頁右欄６行ないし９行）、特定の機能、性質を有する個々の半導体装置の製造にかかる発明ではないことから、引用例１には、具体的にどのように不純物密度分布を形成するかはいちいち記載されていないが、引用例１の発明が、半導体装置の製造方法であり、特にイオン注入による半導体装置の製造方法である以上、当然所定の不純物密度分布を形成することを前提としており、引用例１がこのことを示唆していることは明らかである。
したがって、引用例１には「ＧａＡｓ中に所定の不純物密度分布を形成するために前記化合物半導体の主表面ないしはその一部にイオン注入法により不純物を前記化合物半導体領域に打込」むことが記載されているとした審決の認定、及び一致点の認定に誤りはない。
(2) 取消事由２について
乙第１号証にも記載されているように、イオン注入技術は、不純物密度分布を正確に制御できる技術として従来よりよく知られており、この特徴はイオンが注入される半導体材料の種類によって変わるものではなく、甲第１８号証１５８頁１７行ないし１９行にも記載されているように、化合物半導体へのイオン注入の応用は意欲的に行われているのが現実である。
確かに、ＧａＡｓ等の化合物半導体へのイオン注入は、Ｓｉへのイオン注入に比べ、制御性において劣っているが、それは、活性化のための熱処理の際、Ａｓ等の構成元素が結晶表面より離脱し、化合物半導体表面が化学量論的組成からずれ、結晶欠陥が発生するからに他ならず、この点を解決すれば、イオン注入が化合物半導体を用いた素子の製造にも有効であろうことは、当業者の大方の認識であり、盛んな研究はこのことを十分に裏付けている。引用例１の発明は、この制御性を改善したものであるから、引用例１の発明を用いて、種々の素子を作成してみることは、当然至極のことである。
そして、超階段接合は、引用例２の３８３頁右下の「図６．５ ｐｎ接合の典型的不純物濃度分布の例 (c)超階段接合」の図に示されているように、周知の不純物密度分布であり、このような周知の典型的な超階段接合は、Ｓｉ中だけに限らずＧａＡｓ中にも適宜、形成されているものであるから（引用例２の３８１頁右欄７行、８行、３８２頁右欄７行ないし１０行、３８３頁左欄３行ないし５行）、引用例１の発明において、超階段接合を有する不純物密度分布を形成してみる程度のことは当業者が容易に考えられることである。
したがって、相違点〈１〉についての審決の判断に誤りはない。
(3) 取消事由３について
本願明細書には、「印加するＡｓ圧をおおよそ〈省略〉近辺とすれば、表面状態が良好な結果が得られた。」（甲第１６号証６頁４行ないし６行）と記載されており、本願発明の上記数式は、表面状態が良好な結果を得るための条件にすぎない。
もっとも、本願明細書には、漠然と「良好な超階段接合が形成できた。」（同号証７頁５行、６行）との記載があるが、これはイオン注入の条件等を定めて行った一実施例の結果にすぎず、特に本願発明の数式の意味につき、原告が主張するような、不純物の密度分布を超階段接合とするために最適な蒸気圧制御の条件を規定したものである旨の記載も、本願発明の数式の意味を根拠づける実験データもなく、原告の主張は根拠がない。
一方、周知文献の数式は、完全な結晶を得るための条件を規定したものであるが、完全な結晶を得るとは、構成元素が結晶表面より離脱していないことであり、良好な表面状態を得ることであるから、周知文献の数式は本願発明の数式とその意味する点において何ら相違しない。
したがって、表面状態が良好な結果を得るため、引用例１のＡｓの圧力を周知の数式から得られる値にすることは当業者であれば必要に応じてなし得ることであり、相違点〈２〉についての審決の判断に誤りはない。
第４ 証拠
本件記録中の書証目録記載のとおりであって、書証の成立はいずれも当事者間に争いがない。
理由
１ 請求の原因１（特許庁における手続の経緯）、２（本願発明の要旨）及び３（審決の理由の要点）については、当事者間に争いがない。そして、審決の理由の要点のうち、本願発明と引用例１記載のものとの相違点の認定についても、当事者間に争いがない。
２ 取消事由１について
(1) 引用例１に「ＧａＡｓの主表面ないしはその一部にイオン注入法により不純物を前記化合物半導体領域に打込後に、前記化合物半導体をＡｓ元素の蒸気圧によって満たされた雰囲気中で加えるＡｓの圧力を所定の圧力として熱処理をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されていること、そして、本願発明と引用例１の発明が、上記の点で一致していることは、当事者間に争いがない。
ところで、乙第１号証（エレクトロニクス技術全書[8]「イオン注入技術」編著者 難波進 昭和５０年２月２８日 株式会社工業調査会発行）には、「イオン注入法を半導体プロセスに適用したときの特長としては、１．不純物の数および深さ方向分布はイオンの加速電圧、電流、注入時間により正確に制御できる・・・・４．不純物プロファイルを正確に制御できるため、接合深さの制御精度がよく、また複雑な形の不純物プロファイルを比較的簡単に作ることができる。」（５頁１行ないし１２行）、「不純物の分布は半導体素子の設計上まず問題となる重要なものである。イオン注入した不純物の分布は第一に注入量、加速電圧および注入方向によって決まる。」（２９頁１行ないし３行）と記載されていることが認められ、これらの記載によれば、イオン注入法による半導体装置の製造において、所定の不純物密度分布を形成することは、当業者が当然に考慮している設計上の事項であると認められる。
前記のとおり、引用例１の発明は、イオン注入法による半導体装置の製造方法に係るものであり、引用例１（甲第４号証）中の「一般に注入イオンを活性化せしめる熱処理温度では、化合物半導体表面が化学量論的組成からずれ結晶欠陥が発生する問題がある。」（１頁右下欄１６行ないし１８行）、「本発明は上記の欠点を解決すべく新たな方法を提供するものであり、化合物半導体のイオン注入層の電気的特性を向上させることを目的とする。」（１頁右下欄末行ないし２頁左上欄２行）、「Ａｓ雰囲気中で熱処理場合移動度が大きくなるのは、ＧａＡｓの化学量論的組成からのずれが、Ａｓ圧を加えることで抑制されるためであると推察している。」（２頁右下欄６行ないし９行）との記載からも明らかなように、引用例１の発明は、イオン注入されたＧａＡｓ化合物半導体の表面が化学量論的組成からずれて結晶欠陥が発生する問題を解決するために、Ａｓ圧を加えているものであって、特定の機能、性質を有する半導体装置の製造方法に係るものではないことからすると、引用例１には、ＧａＡｓ中に具体的にどのような不純物密度分布が形成されるかについて明示的には記載されてはいないが、当然所定の不純物密度分布が形成されるものと認めるのが相当である。
したがって、引用例１にはＧａＡｓ中に「所定の不純物密度分布を形成するため」の技術が記載されているとした上、その点においても、引用例１の発明が本願発明と一致しているとした審決の認定に誤りはないものというべきである。
(2) 原告は、引用例１の発明は基板表面に一定量以上の不純物が存在しさえすればよい、ホール測定あるいは例えばＦＥＴなどの半導体装置を製造する技術に応用されるものであって、本願発明のような基板の厚さ方向に従って不純物の密度が変化する状態を得ようというものではない旨主張するが、引用例１には、同引用例の発明が原告主張のようなものに限定される旨の記載はなく、採用できない。
また原告は、半導体装置の製造において、所定の不純物密度分布を形成することは当業者が当然考慮している設計上の事項であるとの点について、乙第１号証に記載されている前記知見は、従来のＳｉダイオードについてのみ当てはまるものであり、当時の技術水準においては、ＧａＡｓのような化合物半導体については全く適用できないものである旨主張する。
前掲乙第１号証と同一の文献である甲第１８号証には、「６．６．１ Ⅲ－Ｖ化合物（ＧａＡｓ）への応用」の項に、「化合物半導体へのイオン注入の応用は、ｐｎ接合（主として注入発光素子、受光素子）および欠陥による高抵抗層（素子分離、ＦＥＴ）を形成する目的から意欲的な研究が行われている。しかしながら主に以下の理由により、シリコンヘのイオン注入の場合ほど成果が得られていないし、研究者の間で一致した結果が得られない場合が多い。(1) 化合物半導体へのイオン注入に伴なって生ずる現象は、元素半導体の場合に比べてはるかに複雑であり、欠陥の構造や挙動に対する基礎データが不十分である。(2) 結晶性のすぐれた結晶、均一で再現性のある結晶を得ることがむずかしく、イオン注入効果を再現性よく捉えるのがむずかしい。(3) イオン注入やその後の熱処理法や取扱法により化学量論的ズレが発生し、電気特性に大きな影響を及ぼす。しかもそれを防止するための保護膜などの技術が完全でない。したがって、比較的まとまった結果が得られているのは、プロトンやＯ+イオン注入による高抵抗層形成とＧａＡｓやＧａＡｓＰへのＺｎ+イオン注入によるｐｎ接合の形成であるが、実用化の段階に至っていない。」（１５８頁１７行ないし１５９頁７行）と記載されていることが認められるが、上記記載によっても、上記文献の発行当時（昭和５０年２月）すでに、化合物半導体へのイオン注入の応用の研究が意欲的に行われていたことは明らかであること、引用例１の発明の特許出願（昭和５１年４月１６日）は、乙第１号証（甲第１８号証）の発行時の約１年後であって、イオン注入法を半導体プロセスに適用したときの前記のような特長や不純物の分布が半導体素子の設計上重要であることは、当業者には当然認識されていて、引用例１の発明のイオン注入法による半導体装置の製造においても、所定の不純物密度分布を形成することが設計上の事項として、当然の前提とされていたものと認めるのが相当であるから、原告の上記主張は採用できない。
(3) 以上のとおりであって、取消事由１は理由がない。
３ 取消事由２について
(1) 引用例２（甲第１４号証）に、審決の摘示した「ＧａＡｓバラクタ」、「超階段接合を有する不純物密度分布を形成したバリキャップダイオード」、「バリキャップダイオードにおいてイオン注入法を用い不純物ドーピングを行っていること」が記載されていることは当事者間に争いがない。
ところで、審決が引用した引用例２の３８１頁ないし３８５頁の記載をみると、同引用例には、「バラクタにはＧａＡｓが広く使用されている」（３８１頁右欄７行、８行）、「ｎ：接合付近の不純物濃度分布で決まる容量変化率。実際のバラクタ（ショットキーバリア形や拡散形）では、ｎ＝１／２．５程度であり、超階段接合では製法により異なるがｎ＝１～３くらいのものが多い。」（３８２頁右欄５行ないし１０行）、「ＧａＡｓ材料の導入が可能となった現在では、ＧａＡｓバラクタが主流を占めている。」（３８３頁左欄３行ないし５行）と記載され、「図６．５ ｐｎ接合の典型的不純物濃度分布の例」のうちに、「(c) 超階段接合」が図示されている（３８３頁右下）こと、すなわち、ＧａＡｓを用いてバラクタを作成すること、及び、バラクタが接合付近の不純物密度分布を制御することによってｎ＝１～３程度の超階段接合が形成されることが記載されていることが認められる。
そうすると、ＧａＡｓ中に所定の不純物密度分布を形成する引用例１の発明において、引用例２に記載されているようなＧａＡｓバラクタを作る目的で、ＧａＡｓの接合部が超階段接合となるように、ＧａＡｓ中に所定の不純物密度分布を形成することは当業者が容易になし得ることと認めるのが相当であって、相違点〈１〉に対する審決の判断に誤りはないものというべきである。
(2) 原告は、引用例２の３８５頁に記載されている「超階段接合バリキャップダイオード」は、本願発明の対象であるＧａＡｓダイオードに関するものではなく、従来のＳｉダイオードに関する記述にすぎないし、本願出願当時の技術では、ＧａＡｓダイオードに超階段接合を得る技術そのものが全く確立されていなかったのであるから、引用例１の半導体装置において、引用例２のＧａＡｓバラクタのようなＧａＡｓ中に超階段接合を有する不純物密度分布を形成することが当業者に容易であったとの審決の判断は誤りである旨主張する。
甲第１４号証によれば、引用例２の３８４頁右欄２行ないし４行には「半導体材料としては、不純物濃度分布の制御しやすいＳｉが一般に用いられており」と記載されているところ、同３８５頁左欄１３行、１４行の「超階段接合バリキャップダイオード」は上記記載を前提とするものであることが認められるから、ここでいう「超階段接合バリキャップダイオード」は、Ｓｉダイオードに関するものと認められる。
しかし、審決は、引用例２として「半導体ハンドブック（第２版）」の３８１頁ないし３８５頁の範囲を挙示しており、そこには、前記(1)に認定のとおりの記載が存するのであるから、引用例２には、Ｓｉ半導体において超階段接合を得る技術のみが記載されているものと限定的に解するのは相当でない。
また、審決は、引用例２に記載されているものとして、「ＧａＡｓバラクタ」、「超階段接合を有する不純物密度分布を形成したバリキャップダイオード」、「バリキャップダイオードにおいてイオン注入法を用いて不純物ドーピングを行っていること」とのみ摘示するものであって、その措辞必ずしも適切とはいい難いが、前記(1)に認定のとおり、引用例２にはＧａＡｓバラクタについても超階段接合についての記載があるわけであるから、ここでいう「ＧａＡｓバラクタ」というのは、前記認定のＧａＡｓの接合部の超階段接合についての記載をも含めた趣旨のものとして摘示されているものと扱って差し支えないものというべきである。もっとも、上記のとおり引用例２にはＧａＡｓバラクタについても超階段接合についての記載があるわけであるから、審決が「超階段接合を有する不純物密度分布を形成したバリキャップダイオード」を摘示するまでもなかったことになるが、このことが相違点〈１〉の判断の当否に影響を及ぼすものとは認め難い。
そして、前記(1)に認定の引用例２の記載によれば、本願出願当時、ＧａＡｓダイオードに超階段接合を形成する技術そのものが全く確立されていなかっとはいえないことは明らかである。
したがって、原告の上記主張は採用できない。
(3) 以上のとおりであって、取消事由２は理由がない。
４ 取消事由３について
(1) 周知文献に「Ａｓの圧力をおおよそ〈省略〉として熱処理をすると完全結晶が得られる」と記載されていることは当事者間に争いがなく、上記の事項は本願出願当時において周知の事項であると認められるところ、この完全結晶を得るというのは、構成元素が結晶表面より離脱していないことであって、良好な表面状態を得ることを意味するものと解される。
ところで、本願明細書（甲第１６号証）には、本願発明の熱処理工程について、「印加するＡｓ圧を〈省略〉近辺とすれば、表面状態が良好な結果が得られた。」（６頁３行ないし５行）と記載されていることが認められる。
そうすると、本願発明において、表面状態の良好な結果を得るために、引用例１のＡｓの圧力を、上記周知の数式から得られる値で熱処理することは当業者が容易になし得ることと認められる。
したがって、相違点〈２〉についての審決の判断に誤りはない。
(2) 原告は、本願発明の前記数式はＧａＡｓ中に不純物をイオン注入で打ち込み、その不純物の密度分布を超階段接合とするために最適な蒸気圧制御の条件を規定したものである旨主張する。
本願明細書の従来技術の欄には、「Ｓｉのバラクタダイオードでは合金拡散法、イオン注入法等により超階段接合を有するものが容易に実現できているが、ＧａＡｓのような化合物半導体のバラクタダイオードは・・・容量変化率の大きいものを得ることが困難である。」（甲第１６号証１頁末行ないし２頁６行）、「ＧａＡｓにおいては、どのようなＡｓの圧力が超階段接合を形成するのに適しているのか明らかではない。」（同号証３頁８行ないし１０行）と記載されているが、これらの記載は単に、従来技術では、ＧａＡｓにおいて、どのようなＡｓの圧力が超階段接合を形成するのに適しているか明らかでなかったことをいうものにすぎず、本願発明の数式と超階段接合との関係についていうものでないことは明らかである。また、本願明細書の発明の目的の欄には、「ＧａＡｓ等の化合物半導体のバラクタダイオードで特に良好な超階段接合を有し、容量変化率の大きいダイオードを容易に再現性良く得られるようにしたものである。」（同号証３頁１２行ないし１６行）と記載されているが、この記載から直ちに、本願発明の数式が超階段接合を得るための条件を規定したものであると解することはできない。更に、本願の第３図は、本願発明によるショットキーバリアダイオードのＣ－Ｖ特性図であり、本願明細書には「良好な超階段接合が形成できた」（同号証７頁５行、６行）との記載があるが、これはイオン注入の条件等を定めて行った一実施例の結果にすぎず、第３図や上記記載から直接、本願発明の数式が良好な超階段接合を得るための条件を規定したものであるということを読み取ることはできない。
本願明細書を精査するも、他に、本願発明の数式が良好な超階段接合を得るための条件を規定したものであると認むべき記載を見いだすことはできない。
したがって、原告の上記主張は採用できない。
(3) 以上のとおりであって、取消事由３は理由がない。
５ よって、原告の本訴請求は理由がないから棄却し、訴訟費用の負担について行政事件訴訟法７条、民事訴訟法８９条を適用して、主文のとおり判決する。
（裁判長裁判官 伊藤博 裁判官 濵崎浩一 裁判官 押切瞳）